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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MJE340G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-225 Bulk

内部编号

277-MJE340G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:300
500+¥1.766
最小起订量:500
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:600
20+¥2.905
100+¥2.34
200+¥2.294
400+¥2.249
1000+¥2.066
最小起订量:20
英国伦敦
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#3

数量:300
20+¥2.905
100+¥2.34
200+¥2.294
400+¥2.249
1000+¥2.066
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MJE340G产品详细规格

规格书 MJE340G datasheet 规格书
MJE340G datasheet 规格书
MJE340
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC -
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30 @ 50mA, 10V
功率 - 最大 20W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO225AA
包装材料 Bulk
包装 3TO-225
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 300 V
集电极最大直流电流 0.5 A
最小直流电流增益 30@50mA@10V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 20000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Boxed
标准包装 Bulk
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 3 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 300 V
发射极 - 基极电压VEBO 3 V
集电极 - 发射极饱和电压 300 V
直流集电极/增益hfe最小值 30
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOIC EIAJ
连续集电极电流 0.5 A
最低工作温度 - 65 C
封装 Bulk
工厂包装数量 500
集电极最大直流电流 0.5
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -65
最大基地发射极电压 3
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 20000
供应商封装形式 TO-225
最大集电极发射极电压 300
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO225AA
功率 - 最大 20W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30 @ 50mA, 10V
其他名称 MJE340GOS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Bipolar Power
外形尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
身高 11.04mm
长度 7.74mm
最大基地发射极电压 3 V
包装类型 TO-225
宽度 2.66mm
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 发射极电压 300 V
发射极 - 基极电压 3 V
功率耗散 20 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益(最小值) 30
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 30
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :300V
功耗 :20W
DC Collector Current :500mA
DC Current Gain hFE :240
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-126
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :30V
连续集电极电流Ic最大 :500mA
Current Ic Continuous a Max :500mA
Current Ic hFE :50mA
Full Power Rating Temperature :25°C
Hfe Min :30
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-65°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :20W
Weight (kg) 0.00064
Tariff No. 85412900
Current,Collector 500mA
Current,Gain 240
PackageType TO-225
极性 NPN
PowerDissipation 20W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 6.25°C/W
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 300V
Voltage,CollectortoEmitter 300V
Voltage,EmittertoBase 3V
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